中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷全棧技術(shù)攻堅與產(chǎn)能擴張雙輪驅(qū)動階段。3D NAND層數(shù)突破（200+層）、DRAM制程躍進（17nm量產(chǎn)）、HBM封裝（2.5D/3D集成）構(gòu)成技術(shù)升級主線，設(shè)備材料國產(chǎn)化率從不足10%提升至25%。市場需求端，智能汽車（車載存儲年復合增速35%）、AI算力（HBM需求2025年達150億美元）、信創(chuàng)替代（金融/政務SSD招標國產(chǎn)化率超70%）形成增長三角。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應凸顯，從前驅(qū)體材料（高k介質(zhì)）、刻蝕設(shè)備（5nm精度）到封測（TSV/HBM）實現(xiàn)垂直打通。挑戰(zhàn)集中于知識產(chǎn)權(quán)壁壘（DDR5專利交叉授權(quán)）、設(shè)備禁運（EUV光刻機限制）及周期波動（NAND價格年降15%）。政策層面，大基金三期2500億元注資重點支持存儲全產(chǎn)業(yè)鏈，目標2027年實現(xiàn)存儲芯片自給率40%以上。