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報告簡介
報告目錄
2016年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈行業(yè)深度調(diào)研報告
1、半導(dǎo)體報告概述 13
2、半導(dǎo)體材料之國產(chǎn)替代進行時 14
2.1、實現(xiàn)上游材料的突破是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)騰飛的基石 15
2.1.1、國家層面建立完善的材料體系是走向半導(dǎo)體強國的必經(jīng)之路 15
2.1.2 、產(chǎn)業(yè)層面：我國半導(dǎo)體材料環(huán)節(jié)較為薄弱，難以滿足產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要 16
2.1.3、公司層面：供給端和需求端共同助力半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化 18
2.1.4、國內(nèi)IC 產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展路徑清晰，實現(xiàn)從市場到核心的突破 21
2.2、國產(chǎn)替代材料之從無到有：大硅片核心材料國產(chǎn)化刻不容緩 22
2.2.1、集成度推動下硅片向大尺寸發(fā)展 22
2.2.2、整合持續(xù)進行，供需狀況改善 25
2.2.3、大硅片實現(xiàn)從“0”到“1”的突破，國產(chǎn)替代進行時 29
2.3、國產(chǎn)替代材料之從小到大：國內(nèi)廠商不斷向高端領(lǐng)域延伸 30
2.3.1、掩膜版：外包份額逐漸擴大，國內(nèi)廠商迎來新機遇 30
2.3.2、光刻膠：中國廠商蓄勢待發(fā)，向高端領(lǐng)域拓展 35
（1）、半導(dǎo)體光刻膠的市場巨大，國產(chǎn)替代需求強烈 38
（2）、國內(nèi)光刻膠廠商逐步向高端領(lǐng)域拓展，加快國產(chǎn)替代步伐 41
2.3.3、CMP 材料：半導(dǎo)體制造的最后一道關(guān)卡 42
2.4、國產(chǎn)替代材料之大行業(yè)小公司：上游防靜電潔凈產(chǎn)品空間廣闊 45
2.4.1、雙輪驅(qū)動，防靜電超凈產(chǎn)品市場空間廣闊 45
2.4.2、大陸市場崛起，國內(nèi)防靜電超凈產(chǎn)品下游基礎(chǔ)不斷夯實 47
（1）、大陸成為全球第二大面板生產(chǎn)基地 48
（2）、大陸IC產(chǎn)業(yè)步入加速成長期 49
（3）、下游快速發(fā)展帶動我國防靜電超凈技術(shù)產(chǎn)品需求，市場規(guī)模超700億元 50
2.4.3、行業(yè)整合持續(xù)進行，市場集中度提升 51
2.5、投資建議 53
3、半導(dǎo)體制造之儲存芯片實現(xiàn)從0 到1 的突破 53
3.1、存儲芯片：新需求刺激+市場格局穩(wěn)定，行業(yè)有望從“周期”轉(zhuǎn)向“長�！� 55
3.1.1 、DRAM 與NAND Flash 已成為存儲芯片產(chǎn)業(yè)主體部分 55
3.1.2、 Memory 產(chǎn)業(yè)歷史上呈現(xiàn)強周期性，大起大落是常態(tài) 56
3.1.3、Memory 產(chǎn)業(yè)有望從大起大落的歷史常態(tài)轉(zhuǎn)向穩(wěn)定獲利的“新常態(tài)” 58
3.2、DRAM：寡占格局下行業(yè)供給可控，PC 與手機應(yīng)用帶動需求旺盛 61
3.2.1、受益于移動終端需求，DRAM 產(chǎn)值創(chuàng)歷史新高 61
3.2.2、產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合，DRAM 進入“三足鼎立”寡占期 62
3.2.3、DRAM 供需預(yù)計將保持平衡，持續(xù)穩(wěn)定獲利仍可期待 67
3.3、NAND Flash：智能終端帶動需求，市場較為分散 70
3.3.1、智能手機與SSD 成為NAND Flash 最大需求 70
3.3.2、持續(xù)的并購并未導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)整合，NAND Flash 市場相對分散 71
4、國內(nèi)現(xiàn)狀：以國之名大力發(fā)展儲存芯片事業(yè)，經(jīng)驗以供參考 75
4.1、韓國：執(zhí)全球存儲器半導(dǎo)體工業(yè)之牛耳 75
4.2、廿載累土成存儲器九層之臺，政企合力鑄三星萬億帝國 79
4.2.1、“政企合作”：韓國內(nèi)存半導(dǎo)體趕超關(guān)鍵 79
4.2.2、資本開路，以資金換時間 80
4.2.3、技術(shù)突破，從消化到創(chuàng)新 82
4.2.4、儲才立業(yè)，成三星十載宏圖 84
4.3、內(nèi)存產(chǎn)業(yè)特點鮮明，韓國模式精準打擊 85
4.4.、中國半導(dǎo)體發(fā)展路徑分析 87
4.4.1、中韓存儲芯片產(chǎn)業(yè)趕超之“同”：大勢所趨、底牌相似 87
4.4.2、中韓存儲芯片產(chǎn)業(yè)趕超之“異”：國情差異、產(chǎn)業(yè)變遷 88
4.4.3、政府大力扶持，國家意志所指 89
4.4.3、、新領(lǐng)域、新工藝助力彎道超車 89
4.5 、投資建議 90
4.5.1、Memory 產(chǎn)業(yè)由IDM 廠商主導(dǎo) 90
4.5.2、IDM 廠商外包比例有望提升，惠及后段封裝廠商 91
5、半導(dǎo)體制造之IC 制造做強與做大之路 93
5.1、“中國芯”中國造，中國晶圓制造迎來黃金時代 93
5.1.1、時代在變，晶圓制造的重要性不變 93
5.1.2、制程進步、應(yīng)用拓寬、IC 設(shè)計發(fā)展，共同推動晶圓制造產(chǎn)業(yè)不斷前進 97
5.1.3、國內(nèi)晶圓制造行業(yè)崛起就在當下 99
5.2、中芯國際—中國芯制造最強勢力 103
5.2.1、中芯國際：中國半導(dǎo)體制造龍頭，站穩(wěn)全球第一梯隊 103
5.2.2、全球晶圓代工一超多強格局明確，中芯國際加速追趕 106
5.2.3、突破28nm 制程，中國“最強芯”重任在肩 108
5.3、華虹宏力——立足中國市場，精于8 寸制造 113
5.3.1、堅守8 寸晶圓陣地，華虹宏力不斷做精做大 113
5.3.2、“物聯(lián)網(wǎng)”東風(fēng)起，帶動8 寸晶圓需求 116
5.3.3、華虹宏力深耕中國市場，大有可為 118
6、半導(dǎo)體制造之化合物半導(dǎo)體新藍海前景廣闊 120
6.1 、化合物半導(dǎo)體新藍海前景廣闊 121
6.2、砷化鎵半導(dǎo)體：射頻通訊的核心，百億美元大市場 123
6.2.1、無線通訊推動砷化鎵半導(dǎo)體市場快速發(fā)展 123
（1）、手機通訊領(lǐng)域 123
（2）、其它領(lǐng)域 125
6.2.2、國外IDM 廠商搶占砷化鎵半導(dǎo)體市場先機 126
6.2.3、砷化鎵半導(dǎo)體代工經(jīng)營模式出現(xiàn) 130
6.3、氮化鎵半導(dǎo)體：節(jié)能產(chǎn)業(yè)的未來 133
6.3.1、氮化鎵—寬禁帶半導(dǎo)體，高頻性能更強 133
6.3.2、氮化鎵功率半導(dǎo)體民用市場起步 134
6.3.3、氮化鎵大功率器件未來應(yīng)用前景廣闊 137
6.4、碳化硅半導(dǎo)體：站在新能源汽車風(fēng)口，迎來最好的時代 138
6.4.1、硅半導(dǎo)體發(fā)展已現(xiàn)疲態(tài)，碳化硅半導(dǎo)體新時代即將開啟 138
6.4.2、碳化硅戰(zhàn)略意義凸顯 143
6.4.3、新能源汽車帶動碳化硅需求快速增長，碳化硅行業(yè)迎來突破 149
7、半導(dǎo)體封裝之海外并購加速進行，全球封裝 154
7.1、臺灣半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展啟示錄：并購是封裝做大做強的有效途徑 155
7.1.1、封裝環(huán)節(jié)是臺灣半導(dǎo)體先行者，一路并購終成世界封裝巨頭 155
7.1.2、從日月光和矽品看并購對封裝企業(yè)的影響 158
7.1.3、臺灣經(jīng)驗的大陸啟示：海外并購是封裝產(chǎn)業(yè)做大做強的有效路徑 164
7.2、IC 產(chǎn)業(yè)已現(xiàn)“東移”大陸之勢，封測行業(yè)迎來歷史性投資機遇 167
7.2.1、動力與條件兼?zhèn)�，大陸IC 產(chǎn)業(yè)進入趕超發(fā)展期 167
7.2.2、大陸封裝產(chǎn)業(yè)并購潮起，迎來最佳投資機會 176
7.3、長電科技：國內(nèi)封測龍頭 180
7.3.1、收購星科金朋邁向全球封測龍頭 180
（1）、星科金朋：技術(shù)領(lǐng)先的全球第四大封測企業(yè) 180
（2）、長電科技“以小吃大”成功收購星科金朋 184
7.3.2、長電科技+星科金朋，技術(shù)、市場、客戶多方協(xié)同，邁向全球封測龍頭 185
7.3.3、中芯國際26.55 億元注資長電科技，強強聯(lián)合打造中國半導(dǎo)體最強戰(zhàn)隊 186
（1）、中芯國際通過認購股份持有長電科技14.26%股權(quán) 186
（2）、中芯國際與長電科技強強聯(lián)手，未來合作更加緊密 187
7.3.4、長電中國業(yè)績持續(xù)向好，豐收就在當下 188
7.3.5、 SiP 訂單加持，星科金朋迎來業(yè)績拐點 190
7.4 、華天科技“三駕馬車”驅(qū)動 196
7.4.1、華天科技：具備戰(zhàn)略縱深的國內(nèi)封測龍頭 196
7.4.2、中高端封裝應(yīng)用爆發(fā)在即，華天提前布局充分受益 198
7.4.3、定增擴充先進封裝產(chǎn)能，中高端封測“卡位戰(zhàn)”不落下風(fēng) 206
7.4.4、兼并收購與整合運營帶來廣闊增長空間 206
7.5、投資建議 210
8、風(fēng)險提示 210
圖表目錄
圖表 1：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地均擁有完備的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu) 16
圖表 2：《綱要》對集成電路各環(huán)節(jié)提出具體要求 16
圖表 3：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈介紹 17
圖表 4：2000-2013年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模及上游材料銷售量 17
圖表 5：我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)占全球比重 18
圖表 6：大陸主要晶圓制造廠及產(chǎn)能情況 19
圖表 7：2004-2014年中國集成電路三業(yè)銷售額 20
圖表 8：2004-2014年國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值及占全球比重 20
圖表 9：半導(dǎo)體制造過程 21
圖表 10：國內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域相關(guān)公司 22
圖表 11：中國市場嫁接世界資源已有跨越式發(fā)展的經(jīng)驗 23
圖表 12：2013年國內(nèi)半導(dǎo)體各材料市場規(guī)模 23
圖表 13：2013年全球半導(dǎo)體各材料市場規(guī)模 24
圖表 14：硅片尺寸變化 25
圖表 15：12英寸晶圓應(yīng)用分類 25
圖表 16：8英寸晶圓應(yīng)用分類 25
圖表 17：2012、2016年不同尺寸硅片份額變化 26
圖表 18：主要尺寸（8英寸和12英寸）硅片價格變化 26
圖表 19：全球主要硅片供應(yīng)商整合情況 27
圖表 20：全球主要半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商2014年營收及凈利 27
圖表 21：各公司硅片市場占有率 27
圖表 22：2008-2014年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模 28
圖表 23：2006-2016年12英寸晶圓產(chǎn)能與需求 28
圖表 24：2007-2016年8英寸晶圓產(chǎn)能與需求 28
圖表 25：主要公司12英寸晶圓產(chǎn)能 29
圖表 26：主要公司8英寸晶圓產(chǎn)能 29
圖表 27：2009-2014年國內(nèi)半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模 30
圖表 28：國內(nèi)主要拋光硅供應(yīng)商 31
圖表 29：掩膜版的應(yīng)用及制作過程 32
圖表 30：2012-2016年全球光罩市場規(guī)模 32
圖表 31：2014年掩膜版市場分類（按地區(qū)） 32
圖表 32：全球主要的掩膜版制造廠商 33
圖表 33：2003-2014年掩膜版外包份額變化 34
圖表 34：2010-2014年P(guān)hotronics營收及凈利 34
圖表 35：Photronics主要客戶 35
圖表 36：國內(nèi)主要掩膜版供應(yīng)商 35
圖表 37：光刻膠占IC材料總成本約4% 36
圖表 38：光刻膠的分類—正膠和負膠 37
圖表 39：光刻工藝過程 37
圖表 40：光刻膠的發(fā)展史 38
圖表 41：光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈 38
圖表 42：光刻膠隨半導(dǎo)體制程的提高不斷發(fā)展 38
圖表 43：光刻膠的全球市場規(guī)模（2009-2014） 39
圖表 44：中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量（2007-2014） 39
圖表 45：光刻膠價格走勢 40
圖表 46：中國光刻膠進出口情況（2007/2014對比） 40
圖表 47：中國光刻膠市場需求（2007/2015對比） 41
圖表 48：中國各類光刻膠市場需求（2007/2015對比） 41
圖表 49：光刻膠的主要供應(yīng)廠商（海外部分） 42
圖表 50：光刻膠的主要供應(yīng)廠商（中國部分） 42
圖表 51：北京科華的相關(guān)客戶 43
圖表 52：CMP工藝原理示意圖 44
圖表 53：2010-2014年全球及國內(nèi)CMP材料市場規(guī)模 44
圖表 54：CMP材料細分市場占比 45
圖表 55：防靜電超凈技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域 46
圖表 56：半導(dǎo)體制程向微小化發(fā)展 47
圖表 57：全球防靜電超凈技術(shù)市場規(guī)模 47
圖表 58：潔凈技術(shù)的發(fā)展歷程 47
圖表 59：集成電路潔凈技術(shù)要求不斷提升 48
圖表 60：中國防靜電超凈技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域及對應(yīng)需求占比 49
圖表 61：2007-2015年面板產(chǎn)能向大陸轉(zhuǎn)移趨勢 50
圖表 62：大陸下游面板廠地理位置 50
圖表 63：電子設(shè)備制造防靜電器材基本配置 51
圖表 64：2006-2015年中國電子信息行業(yè)對防靜電超凈產(chǎn)品需求 51
圖表 65：2006-2015年中國防靜電超凈產(chǎn)品市場規(guī)模 52
圖表 66：潔凈耗材行業(yè)金字塔式的市場競爭格局 53
圖表 67：全球主要防靜電潔凈產(chǎn)品供應(yīng)商整合情況 53
圖表 68：半導(dǎo)體材料相關(guān)公司 54
圖表 69：存儲芯片的分類 56
圖表 70：Memory市場產(chǎn)值構(gòu)成 56
圖表 71：DRAM歷史合約價格變化趨勢 57
圖表 72：NAND歷史合約價格變化趨勢 57
圖表 73：美光與SK海力士的歷史營業(yè)利潤呈現(xiàn)出明顯而劇烈的周期性波動 58
圖表 74：Memory產(chǎn)業(yè)周期變動示意圖 59
圖表 75：2008~2014年Memory市場變化：廠商數(shù)量減少、市場份額更加集中 60
圖表 76：Memory廠商資本支出保持謹慎 60
圖表 77：受制于高額成本，Memory制程進展已經(jīng)減緩 61
圖表 78：得益于適度的資本開支，Memory產(chǎn)業(yè)進入持續(xù)多年的穩(wěn)定增長期 61
圖表 79：1991-2015年DRAM市場規(guī)模 62
圖表 80：2010-2016年DRAM下游應(yīng)用占比變化 63
圖表 81：DRAM產(chǎn)業(yè)變遷：受益于產(chǎn)業(yè)整合 64
圖表 82：DRAM廠商數(shù)量已經(jīng)大幅減少 64
圖表 83：2011-2014年DRAM市場份額 65
圖表 84：2011-2014年Mobile DRAM市場份額 65
圖表 85：SK海力士無錫廠大火導(dǎo)致DRAM價格暴漲 66
圖表 86：美光借助并購與合作大幅提升產(chǎn)能 66
圖表 87：主要DRAM廠商制程進展及規(guī)劃 66
圖表 88：主要廠商的DRAM業(yè)務(wù)毛利率 67
圖表 89：主要DRAM廠商概況 67
圖表 90：主要DRAM廠商均無大的擴產(chǎn)計劃 68
圖表 91：美光歷年資本支出及用途 69
圖表 92：全球DRAM晶圓的產(chǎn)能近兩年來呈現(xiàn)下降趨勢 69
圖表 93：2011-2014年手機平均搭載的DRAM容量快速提升 70
圖表 94：iPhone搭載的內(nèi)存容量已經(jīng)遠落后于三星 70
圖表 95：DRAM位元(Bit)供需情況：近兩年來呈現(xiàn)略微供給不足的狀態(tài) 71
圖表 96：2011-2014年NAND廠商總營收（不包括SanDisk） 71
圖表 97：2010-2016年NAND Flash下游應(yīng)用分類 72
圖表 98：NAND產(chǎn)業(yè)變遷：相對平穩(wěn)的歷史波動 72
圖表 99：近幾年來NAND市場發(fā)生的主要并購 73
圖表 100：2011-2014年NAND Flash市場份額（不包括SanDisk） 74
圖表 101：SSD價格仍然高出HDD數(shù)倍 74
圖表 102：NAND企業(yè)產(chǎn)能擴充情況 75
圖表 103：2012-2014年全球Flash晶圓產(chǎn)量呈現(xiàn)明顯上升趨勢 75
圖表 104：2011-14年NAND Flash位元(Bit)需求及供給情況 75
圖表 105：2014年度全球營收前10大半導(dǎo)體廠商 76
圖表 106：2014年度全球營收前10大半導(dǎo)體廠商市占率 76
圖表 107：DRAM在存儲芯片市場具有基石性地位 77
圖表 108：DRAM市場份額中中韓國廠商具備統(tǒng)治性優(yōu)勢 77
圖表 109：幾代存儲器產(chǎn)品投產(chǎn)時間 78
圖表 110：韓國半導(dǎo)體DRAM技術(shù)與美、日差距的變化 79
圖表 111：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展三大要素 80
圖表 112：韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略 80
圖表 113：1993-2014年三星電子長期保持著高昂資本投入 81
圖表 114：政府的“推動”貫穿韓國的半導(dǎo)體發(fā)展 82
圖表 115：相比于資本周期性投入，研發(fā)費用則保持了長期快速增加 84
圖表 116：韓國政府通過整合資源幫助韓國DRAM技術(shù)快速趕超進步 84
圖表 117：“逆周期投資”是三星長期堅持的資本投入戰(zhàn)略 87
圖表 118：韓國半導(dǎo)體工業(yè)在趕超時期面臨的是一個技術(shù)快速更迭的DRAM市場 87
圖表 119：中國政府出臺一系列措施扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展 89
圖表 120：中國資本拉開海外并購大幕 90
圖表 121：Memory產(chǎn)業(yè)中IDM廠商占主導(dǎo)地位 91
圖表 122：Memory廠商的合作與外包策略 92
圖表 123：全球主要Memory封測企業(yè)概況 93
圖表 124：力成科技月度營收 93
圖表 125：半導(dǎo)體制造就是“電石成金”的過程 95
圖表 126：2013年全球半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)市場規(guī)模 95
圖表 127：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要公司 96
圖表 128：2013-2018年半導(dǎo)體廠商資本支出占營收比例 96
圖表 129：不同制程晶圓制造生產(chǎn)線成本 96
圖表 130：Fabless占半導(dǎo)體市場銷售額比例不斷提升 97
圖表 131：2003-2015年IDM廠商外包比例穩(wěn)中有升 97
圖表 132：2001-2017年晶圓代工市場規(guī)模 97
圖表 133：制程發(fā)展歷史 98
圖表 134：Intel芯片發(fā)展歷程 99
圖表 135：Foundry歷年增速與終端應(yīng)用關(guān)聯(lián) 99
圖表 136：2005-2014年國內(nèi)半導(dǎo)體三大環(huán)節(jié)市場規(guī)模 100
圖表 137：全球各地區(qū)半導(dǎo)體制造各制程比例 100
圖表 138：2008-2014年大陸半導(dǎo)體三大環(huán)節(jié)占比 101
圖表 139：2008-2014年臺灣半導(dǎo)體三大環(huán)節(jié)占比 101
圖表 140：2005-2014年中國IC設(shè)計市場規(guī)模 102
圖表 141：大陸主要晶圓制造廠及產(chǎn)能 102
圖表 142：國內(nèi)廠商和國際廠商制造環(huán)節(jié)展開重要合作 103
圖表 143：中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展目標 103
圖表 144：中芯國際產(chǎn)品線 104
圖表 145：2012-2015年中芯國際營收及凈利（分季度） 105
圖表 146：中芯國際產(chǎn)能分布 105
圖表 147：2010-2014年中芯國際各制程營收占比 106
圖表 148：2010-2014年中芯國際各地區(qū)營收占比 106
圖表 149：全球前十大晶圓代工廠 107
圖表 150：全球主要晶圓代工廠產(chǎn)能情況 107
圖表 151：2004-2015年全球前五大晶圓廠占全球產(chǎn)能比重 107
圖表 152：全球晶圓代工廠商先進制程量產(chǎn)時間表 108
圖表 153：中芯國際在產(chǎn)能上不斷縮小與聯(lián)電差距 108
圖表 154：中芯國際毛利率不斷提升 109
圖表 155：28nm技術(shù)是后續(xù)先進制程的“入場券” 109
圖表 156：HKMG和Sion技術(shù)性能與成本示意圖 110
圖表 157：2014年純晶圓廠各制程產(chǎn)值比重 110
圖表 158：2012-2018年全球各制程產(chǎn)值預(yù)測 111
圖表 159：各制程每百萬門電路成本 111
圖表 160：Foundry廠來自中國IC設(shè)計廠投片份額分布 112
圖表 161：驍龍410芯片主要供貨廠商及應(yīng)用手機 112
圖表 162：2013-2015年聯(lián)電28nm制程營收貢獻增長迅猛 113
圖表 163：2012-2016年中芯國際28nm制程營收貢獻預(yù)測 113
圖表 164：華虹宏力主要制程發(fā)展歷史 114
圖表 165：2011-2014年華虹宏力歷年營收、凈利及毛利率 115
圖表 166：華虹宏力各代工廠產(chǎn)能分布 115
圖表 167：華虹宏力2014年營收按技術(shù)平臺分類 115
圖表 168：2011-2014年華虹宏力歷年收入按制程分類 116
圖表 169：2011-2014年營收按終端市場分類 116
圖表 170：歷年晶圓銷量按制程分類 116
圖表 171：8寸晶圓主要應(yīng)用領(lǐng)域 117
圖表 172：物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模分類占比 118
圖表 173：2020年8寸晶圓市場規(guī)模測算 118
圖表 174：2008-2015年8寸晶圓全球及亞太產(chǎn)能 118
圖表 175：2013-2020年8寸晶圓代工全球及中國市場規(guī)模 119
圖表 176：2014-2016年8寸晶圓主要應(yīng)用領(lǐng)域 120
圖表 177：2005-2014年世界先進營收及增速 120
圖表 178：世界先進2014年營收按地區(qū)分布 120
圖表 179：2005-2014年世界先進與華虹宏力毛利率情況 121
圖表 180：2011-2015年華虹宏力營收按地區(qū)分布 121
圖表 181：半導(dǎo)體材料性能比較 122
圖表 182：半導(dǎo)體發(fā)展歷程 123
圖表 183：化合物半導(dǎo)體的作用 123
圖表 184：砷化鎵微波功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域 124
圖表 185：傳輸信息增加導(dǎo)致射頻元件需求量增加 125
圖表 186：高頻趨勢下射頻元件需求量增加 125
圖表 187：砷化鎵PA市場規(guī)模估算 126
圖表 188：砷化鎵微波功率半導(dǎo)體各應(yīng)用領(lǐng)域占比 127
圖表 189：1999-2018年砷化鎵微波功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 127
圖表 190：砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 128
圖表 191：2013年砷化鎵半導(dǎo)體制造商市場份額 128
圖表 192：全球砷化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商 128
圖表 193：全球主要砷化鎵微波功率半導(dǎo)體廠商介紹 129
圖表 194：2014年砷化鎵半導(dǎo)體主要廠商營收 130
圖表 195：2014年砷化鎵半導(dǎo)體主要廠商毛利率 130
圖表 196：skyworks近五年營收及凈利 130
圖表 197：2013年砷化鎵外延片市場份額 131
圖表 198：2013年砷化鎵晶圓代工市場份額 132
圖表 199：穩(wěn)懋近5年營收及凈利 132
圖表 200：晶圓代工市場容量及占比 133
圖表 201：穩(wěn)懋砷化鎵產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域 133
圖表 202：穩(wěn)懋產(chǎn)能情況 133
圖表 203：氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體發(fā)展歷程 134
圖表 204：氮化鎵（GaN）與砷化鎵（GaAs）性能比較 135
圖表 205：氮化鎵（GaN）與硅（Si）性能比較 135
圖表 206：近兩年氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域大事記 136
圖表 207：2009-2014年Qorvo營收及增速 136
圖表 208：2010-2014年英飛凌營收及增速 137
圖表 209：MA-COM主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用 137
圖表 210：MA-COM毛利率變化 138
圖表 211：氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體未來應(yīng)用領(lǐng)域 138
圖表 212：氮化鎵（GaN）主要應(yīng)用的預(yù)期潛在市場 139
圖表 213：碳化硅（SiC）與硅（Si）性能比較 140
圖表 214：功率器件進入第三代半導(dǎo)體（氮化鎵與碳化硅）時代 140
圖表 215：碳化硅功率器件的主要功能——電源轉(zhuǎn)換 141
圖表 216：碳化硅功率器件的損耗相比硅器件大大減少 141
圖表 217：碳化硅功率半導(dǎo)體適用范圍廣泛 142
圖表 218：碳化硅功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場將逐步拓展 142
圖表 219：碳化硅半導(dǎo)體未來有望在多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)對硅的逐步替代 143
圖表 220：2008-2019年全球碳化硅單晶產(chǎn)能 143
圖表 221：2006-2020年全球功率器件市場規(guī)模 144
圖表 222：各國在碳化硅領(lǐng)域的相關(guān)研發(fā)計劃 145
圖表 223：我國在碳化硅領(lǐng)域的國家重大項目 145
圖表 224：碳化硅單晶生長過程 146
圖表 225；碳化硅功率器件成本構(gòu)成 146
圖表 226：ree大部分與碳化硅有關(guān)的專利已經(jīng)或即將到期 146
圖表 227：碳化硅（SiC）器件的發(fā)展歷程 147
圖表 228：全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商 147
圖表 229：碳化硅功率器件主要廠商比較 148
圖表 230：2008-2016年ROHM營收及凈利潤情況 148
圖表 231：ROHM毛利率變化情況 148
圖表 232：碳化硅（SiC）在新能源汽車中的應(yīng)用 151
圖表 233：碳化硅功率半導(dǎo)體顯著降低PCU整體成本 151
圖表 234：日本豐田新能源汽車搭載碳化硅（SiC）功率器件 152
圖表 235：國內(nèi)新能源汽車補貼政策 153
圖表 236：我國新能源汽車銷量及預(yù)測 153
圖表 237：我國關(guān)于充電樁的相關(guān)政策 154
圖表 238：各地區(qū)充電樁建設(shè)情況 154
圖表 239：臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程 156
圖表 240：臺灣半導(dǎo)體業(yè)者在技術(shù)和成本上均無絕對優(yōu)勢 157
圖表 241：臺灣半導(dǎo)體行業(yè)采取專業(yè)的垂直分工模式 157
圖表 242：1996~2010年臺灣IC產(chǎn)業(yè)并購數(shù)量及分布 158
圖表 243：封測行業(yè)極為適合通過兼并收購來進行擴張 159
圖表 244：日月光大事記 160
圖表 245：日月光歷年營收 161
圖表 246：日月光工廠分布 161
圖表 247：日月光歷年資本支出 162
圖表 248：日月光毛利率變化 162
圖表 249：2013年全球前十大封測廠商營收（億美元） 163
圖表 250：近5年前5大封裝廠商市場占有率比較 163
圖表 251：矽品大事記 164
圖表 252：矽品歷年營收 164
圖表 253：矽品歷年資本支出 164
圖表 254：矽品毛利率變化 165
圖表 255：大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程 166
圖表 256 ：大陸本土IC封裝企業(yè)及其2013年營收 166
圖表 257：集成電路發(fā)展綱要對于集成電路發(fā)展目標及保障措施提出具體要求 167
圖表 258：各地區(qū)產(chǎn)業(yè)基金相繼成立 167
圖表 259：大陸封裝并購不斷 167
圖表 260：集成電路處于電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈的頂端 168
圖表 261：1986-2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模 169
圖表 262：半導(dǎo)體在智能手機主要零部件成本中占比大 169
圖表 263：我國部分電子銷量產(chǎn)品占全球市場份額 170
圖表 264：我國半導(dǎo)體需求額與銷售額占全球的比重 170
圖表 265：我國集成電路貿(mào)易逆差持續(xù)擴大 170
圖表 266：我國集成電路進口已超過原油進口 171
圖表 267：臺灣資訊硬件在海外及中國生產(chǎn)的比重 172
圖表 268：“中華酷聯(lián)”智能手機出貨量及市場份額 172
圖表 269：全球PC出貨量（1997~2009） 173
圖表 270：臺灣資訊硬件產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)總值（1997~2009） 173
圖表 271：臺灣的垂直分工模式與美韓的垂直整合模式 174
圖表 272：臺灣IC行業(yè)各細分產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值全球份額及排名 174
圖表 273：臺灣支持IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的官方政策 175
圖表 274：大陸IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與臺灣90年代中后期IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展條件對比 175
圖表 275：最近兩年國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)主要兼并收購事件 176
圖表 276：全球前五大半導(dǎo)體封測企業(yè)資本開支 178
圖表 277：2013年全球半導(dǎo)體封測企業(yè)份額 178
圖表 278：封測行業(yè)各項屬性較為平均 178
圖表 279：日月光封測工廠分布 179
圖表 280：Amkor封測工廠分布 179
圖表 281：大陸地域遼闊，多樣化發(fā)展 180
圖表 282：全球封測廠商前十排名 181
圖表 283：長電科技收購前星科金朋下設(shè)工廠情況 182
圖表 284：2011-2014年營收按產(chǎn)品分類占比 182
圖表 285：2011-2014年營收按終端市場分類占比 183
圖表 286：星科金朋封裝相關(guān)業(yè)務(wù) 183
圖表 287：星科金朋主要客戶示意圖 184
圖表 288：2011-2014年星科金朋營收按地區(qū)分類占比 184
圖表 289：2011-2014年星科金朋營業(yè)收入及盈利情況 184
圖表 290：長電科技、中芯國際、產(chǎn)業(yè)基金三方合作收購星科金朋示意圖 186
圖表 291：發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金后股權(quán)變動情況 188
圖表 292：發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金后股權(quán)變動示意圖 188
圖表 293：長電科技促成博通與中芯國際生產(chǎn)訂單 189
圖表 294：2012-2016年長電科技歸母凈利潤季度情況 190
圖表 295：長電科技2015年控股及參股公司經(jīng)營狀況 190
圖表 296：單個晶體管成本下降趨勢趨緩 191
圖表 297：芯片整合沿著同質(zhì)、異質(zhì)整合兩條路線前進 192
圖表 298：SiP技術(shù)的優(yōu)勢符合了目前芯片整合趨勢要求 192
圖表 299：SiP模組的應(yīng)用范圍 193
圖表 300：智能手機和可穿戴設(shè)備是SiP的主要應(yīng)用領(lǐng)域 194
圖表 301：各類型智能設(shè)備與SiP技術(shù)特點契合度 194
圖表 302：SiP封裝工藝流程復(fù)雜而難度高 195
圖表 303：SiP封裝涉及多種高端材料與設(shè)備 195
圖表 304：SiP供應(yīng)商持續(xù)擴容 195
圖表 305：長電科技收購星科金朋布局逐步完備 197
圖表 306：公司現(xiàn)有封裝類型及分布 198
圖表 307：華天科技具備發(fā)展前瞻性的地域布局 198
圖表 308：傳統(tǒng)IC封裝流程及具體工藝 199
圖表 309：WLCSP封裝與傳統(tǒng)封裝的區(qū)別 199
圖表 310：TSV封裝技術(shù)能夠顯著減小芯片模組的體積 200
圖表 311：智能終端的輕薄化需求提升——以蘋果與三星手機為例 201
圖表 312：全球采用3D TSV封裝的半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)值及滲透率 201
圖表 313：2010-2018年全球CMOS芯片出貨量（按下游應(yīng)用分類） 202
圖表 314：2010-2018年全球CMOS芯片出貨量（按像素值分類） 202
圖表 315：全球CMOS出貨量（按廠商分類） 202
圖表 316：全球CMOS銷售金額（按廠商分類） 203
圖表 317：攝像頭模組厚度決定手機整體厚度 203
圖表 318：SV技術(shù)能夠降低CMOS芯片模組的厚度 204
圖表 319：未來TSV技術(shù)的應(yīng)用范圍將從CIS開始逐步拓展 204
圖表 320：中國移動支付市場交易規(guī)模 205
圖表 321：蘋果歷代iPhone引領(lǐng)潮流的創(chuàng)新 206
圖表 322：大陸具有較為完整的指紋識別產(chǎn)業(yè)鏈 206
圖表 323：華天科技非公開發(fā)行募集資金主要投向 207
圖表 324：封測行業(yè)極為適合通過兼并收購來進行擴張 208
圖表 325：日月光通過持續(xù)的收購兼并來做大規(guī)模 209
圖表 326：昆山華天歷年營業(yè)收入及凈利潤 209
圖表 327：華天科技通過持續(xù)并購整合增添成長新動力 210
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