AMB基板，活性金屬釬焊陶瓷基板，是一種主流的覆銅陶瓷基板技術(shù)，在高溫條件下，利用含有活性元素的釬料，與陶瓷反應(yīng)生成潤濕界面，實現(xiàn)陶瓷與金屬的結(jié)合，制成的基板利用濕法刻蝕工藝在其表面繪制電路。
　　AMB基板通常是在氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）等陶瓷上覆蓋銅片制造而成，其中，氮化硅AMB基板機械性能以及耐高溫、抗氧化、抗腐蝕性能更為優(yōu)異。AMB基板具有結(jié)合強度高、熱導(dǎo)率高、散熱性能好、抗熱疲勞性優(yōu)、熱循環(huán)壽命長、可靠性高等特點，適用于超高壓、大電流、高功率密度、高溫、高振動的工作場景。
　　AMB基板主要用來制造功率半導(dǎo)體模塊，例如IGBT模塊，能夠滿足大功率、大電壓、大電流、高熱導(dǎo)率、高可靠性的中高端IGBT模塊制造需求。氮化硅AMB基板可以將厚銅片焊接到薄氮化硅陶瓷之上，由于氮化硅陶瓷熱膨脹系數(shù)與碳化硅陶瓷接近，且熱導(dǎo)率高，因此氮化硅AMB基板是碳化硅功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)熱基板的首選。
　　AMB基板可以廣泛應(yīng)用在通信、電網(wǎng)、風力發(fā)電、光伏發(fā)電、充電樁、新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、航空航天等領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，800V高壓技術(shù)成為發(fā)展趨勢，目的是提升充電速度、降低能量損耗、提高汽車動力性能，在800V電氣架構(gòu)下，需要采用碳化硅功率模塊，因此氮化硅AMB基板在新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展空間大。
　　受益于新能源汽車等產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，以及市場對高性能基板需求日益旺盛，全球AMB基板市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。2024年，全球AMB基板市場規(guī)模約為5.57億美元，預(yù)計2024-2030年將繼續(xù)以18.3%左右的年復(fù)合增長率上升，到2030年市場規(guī)模將達到15.28億美元。
　　當前，在我國IGBT等功率半導(dǎo)體器件基板制造中，DBC（直接覆銅）技術(shù)仍占據(jù)較大份額，但在高功率、大電壓、高性能要求下，中高端市場方面AMB基板替代步伐正在加快。
　　在海外市場中，AMB基板生產(chǎn)商主要有羅杰斯（ROGERS）、賀利氏（Heraeus）、NGK Electronics Devices、三菱綜合材料（Mitsubishi Materials Corporation）、東芝材料（Toshiba Materials）、電氣化學(xué)（Denka）等；在我國市場中，AMB基板生產(chǎn)企業(yè)主要有江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司、浙江德匯電子陶瓷有限公司、上海鎧琪科技有限公司、無錫天楊電子有限公司等。