碲鎘汞紅外焦平面組件，是碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的核心組成部分，主要包括芯片制備、讀出電路設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)。
　　紅外焦平面陣列，也稱紅外焦平面，英文縮寫IRFPA，在單個(gè)芯片上集成大量探測(cè)元件，形成焦平面陣列，可以同時(shí)捕捉與處理大量紅外信號(hào)，將紅外輻射直接轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。紅外焦平面探測(cè)器具有靈敏度高、空間分辨率高、圖像質(zhì)量高、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，是一種高端紅外探測(cè)器。
　　在已經(jīng)開(kāi)發(fā)問(wèn)世的紅外探測(cè)材料中，碲鎘汞（HgCdTe），英文縮寫MCT，為窄禁帶半導(dǎo)體材料，具有本征載流子濃度低、波段覆蓋范圍廣、帶隙連續(xù)可調(diào)、量子效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用最為廣泛。碲鎘汞可以在碲鋅鎘（CdZnTe）、硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等襯底上外延生長(zhǎng)得到。
　　碲鎘汞紅外探測(cè)器技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，早期以碲鎘汞晶體為敏感元件，制造單個(gè)紅外光電探測(cè)器，現(xiàn)階段，以碲鎘汞外延片為敏感元件，制造紅外焦平面探測(cè)器。近年來(lái)，我國(guó)碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)發(fā)展迅速，高性能、大面陣碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器需求持續(xù)增加，因此碲鎘汞紅外焦平面組件研究熱情高漲。
　　當(dāng)前，碲鎘汞紅外焦平面組件的面陣規(guī)模正在不斷擴(kuò)大，向1k×1k、2k×2k等大規(guī)模面陣方向發(fā)展。傳統(tǒng)碲鎘汞外延片制備采用碲鋅鎘基襯底，其成本高且尺寸提升難度大，硅基襯底、砷化鎵基襯底受到關(guān)注，但存在晶格失配問(wèn)題，制備技術(shù)仍在持續(xù)突破。利用分子束外延（MBE）技術(shù)可以在襯底上生長(zhǎng)碲鎘汞外延層，進(jìn)而制造碲鎘汞紅外焦平面組件。
　　在我國(guó)，碲鎘汞紅外焦平面組件相關(guān)研究機(jī)構(gòu)主要有華北光電技術(shù)研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所）、昆明物理研究所（中國(guó)兵器科學(xué)研究院）等。
　　昆明物理研究所團(tuán)隊(duì)在碲鋅鎘（CZT）襯底上采用分子束外延（MBE）技術(shù)生長(zhǎng)出P-P-P結(jié)構(gòu)中長(zhǎng)波雙色碲鎘汞薄膜材料，制備出中長(zhǎng)波雙色640×512紅外焦平面芯片，獲得中長(zhǎng)波雙色紅外焦平面組件，相關(guān)研究成果發(fā)表于《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》期刊。
   中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所突破了高有效像元率小間距混成芯片制備、低噪聲高幀頻小間距讀出電路設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，研制出中波1280×1024（10μm像元中心間距）碲鎘汞紅外焦平面組件，被列入《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊(cè)（2022年版）》推薦目錄。