905nm激光芯片，是集成了激光器功能，可以產(chǎn)生905納米波長(zhǎng)激光光束的半導(dǎo)體器件。905nm激光芯片的工作原理是，電流進(jìn)入半導(dǎo)體材料，電子受激向高能級(jí)躍遷，躍遷回低能級(jí)時(shí)，釋放光子，受半導(dǎo)體材料能帶間隙影響，光子波長(zhǎng)為905nm，光子在諧振腔內(nèi)反射、增多，形成激光。
　　905nm激光芯片主要應(yīng)用在激光雷達(dá)制造中。激光雷達(dá)可以廣泛應(yīng)用在汽車、無(wú)人機(jī)、機(jī)器人、工業(yè)設(shè)備、安防等領(lǐng)域，市場(chǎng)增長(zhǎng)空間大。在激光雷達(dá)發(fā)射模塊中，905nm波長(zhǎng)是主流選擇，這主要是由于濾光片鍍膜膜層要求較薄、良品率較高，具有性能可靠、成本較低的優(yōu)點(diǎn)，因此905nm激光芯片需求占比高。
　　905nm激光芯片主要包括905nm VCSEL激光芯片、905nm EEL激光芯片等類型。VCSEL，垂直腔面發(fā)射激光器，激光垂直于頂面射出，具有電光轉(zhuǎn)化效率高、可形成二維激光陣列、工作溫度范圍寬、體積小、功耗低等特點(diǎn)。905nm VCSEL激光芯片具有功率密度高、可擴(kuò)展性強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，可以為汽車、工業(yè)等領(lǐng)域提供高質(zhì)量激光。
　　EEL，邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器，激光從邊緣發(fā)射，具有電光轉(zhuǎn)化效率高、波長(zhǎng)范圍廣、功率高等特點(diǎn)。905nm EEL激光芯片具有功率密度高、偏振態(tài)固定、抗干擾能力強(qiáng)、低溫漂特性好、高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，適合遠(yuǎn)距離、高精度探測(cè)，可以應(yīng)用在汽車、工業(yè)、儀器等領(lǐng)域。
　　我國(guó)905nm激光芯片布局企業(yè)主要有蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司、深圳瑞波光電子有限公司、深圳市檸檬光子科技有限公司、武漢銳晶激光芯片技術(shù)有限公司等。例如長(zhǎng)光華芯可以提供905nm VCSEL激光芯片與905nm EEL激光芯片；檸檬光子可以提供905nm VCSEL激光芯片。
　　隨著人工智能時(shí)代到來(lái)，在工業(yè)、商業(yè)、民用等領(lǐng)域，激光雷達(dá)的應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬，同時(shí)市場(chǎng)對(duì)激光雷達(dá)的精度、可靠性等要求不斷提高，905nm激光芯片的性能隨之需要不斷提升。2024年8月，工信部發(fā)布國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度項(xiàng)目申報(bào)指南，提出開(kāi)發(fā)峰值功率≥100W，功率密度≥50kW/mm2的高功率密度905nm多節(jié)半導(dǎo)體激光芯片。
　　2023年，瑞波光電實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)905nm EEL激光芯片重大技術(shù)突破，推出具備自主核心技術(shù)的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列；檸檬光子可以提供905nm 120W多結(jié)多分區(qū)VCSEL陣列，適用于汽車、工業(yè)3D傳感領(lǐng)域。我國(guó)905nm激光芯片自主研發(fā)與生產(chǎn)實(shí)力正在快速增強(qiáng)。