藍光單管芯片是藍光激光器的核心組成部分，近年來，隨著藍光激光器應用擴展，藍光單管芯片市場需求逐漸釋放。藍光單管芯片是基于氮化鎵GaN、氮化鋁鎵AlGaN、氮化銦鎵InGaN或其它與其相關的材料，經(jīng)過外延生長、流片工藝、腔面處理、封裝等工藝形成的藍光單管產(chǎn)品。
　　氮化鎵GaN是第三代半導體材料，具有高熱導率、抗強輻射能力、高擊穿電場等性能，可用于制備大功率、高溫、高頻電子器件。藍光單管芯片難以實現(xiàn)高輸出功率和長壽命，核心生產(chǎn)技術壁壘高，受材料、技術限制，目前藍光單管芯片功率較低，商用產(chǎn)品功率水平在5W左右，實驗室功率水平在10W左右。全球范圍內(nèi)，擁有藍光單管芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)較少，主要集中在德國、日本、美國等地區(qū)。
　　全球范圍內(nèi)，藍光單管芯片相關企業(yè)或研發(fā)機構有德國艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）、日亞化學（Nichia）、松下、索尼等�？傮w來看，國外企業(yè)在全球藍光單管芯片領域占據(jù)優(yōu)勢，我國在這一領域處于落后并依賴國外進口的狀態(tài)。
　　藍光激光器是一種新型激光器，在激光器市場競爭加劇背景下，藍光激光器成為激光器企業(yè)差異化布局重點方向。在國產(chǎn)替代大背景下，國內(nèi)企業(yè)和機構也在加快藍光激光器相及關器件研發(fā)速度，如華中科技大學、蘇州納米所、廣東硬科院、深圳聯(lián)贏激光、北京凱普林、銳科激光等。
　　藍光激光器在銅、鋁等高反金屬材料加工等方面具有明顯優(yōu)勢，近年來，隨著技術發(fā)展，藍光激光器在新能源電池、消費電子、醫(yī)療、顯示、航天航空、國防、存儲、探測、高端裝備制造等領域的應用潛力日益凸顯。在此背景下，藍光單管芯片、藍光激光二極管等藍光激光器相關器件也受到市場廣泛關注。
藍光單管芯片是藍光激光器最核心器件，隨著藍光激光器應用領域擴展，藍光單管芯片市場需求將進一步釋放。目前藍光單管芯片功率較低，在激光產(chǎn)業(yè)向高質量發(fā)展背景下，市場對藍光單管芯片的要求不斷提升，將促使其向更高功率、更好光束質量方向不斷發(fā)展。