氧化鎵襯底和外延環(huán)節(jié)位于功率器件的產(chǎn)業(yè)鏈上游。類比碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，價(jià)值集中于上游襯底和外延環(huán)節(jié)：1顆碳化硅器件的成本中，47%來自襯底，23%來自外延，襯底+外延共占70%。
隨著氧化鎵的成本進(jìn)一步降低，襯底占比會(huì)比SiC小得多。

 氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
 
 氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈格局
 

從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)看，鎵下游應(yīng)用廣泛，中國(guó)上游鎵儲(chǔ)量在全球占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位
目前鎵在發(fā)光器件、微波通信、新型顯示等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，未來有望在集成電路領(lǐng)域有較大應(yīng)用前景，正成為電子工業(yè)的新糧食。如氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）已成為 LED 成熟的技術(shù)解決方案。GaN 在手機(jī)快充、5G 通信等方面亦具有廣闊應(yīng)用前景。砷化鎵（GaAs）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表已在高頻、高速、高溫及抗輻照等微波器件和高速數(shù)字電路中得到重要應(yīng)用。得益于遷移率高、均勻性好等優(yōu)勢(shì)，銦鎵鋅氧（IGZO）氧化物半導(dǎo)體近年來在大尺寸面板的應(yīng)用加速滲透。此外，用IGZO 作為有源層制備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）在集成電路后道工序（IC-BEOL）、常關(guān) CPU（晶體管閾值電壓為正，為增強(qiáng)型器件）、DRAM/NAND 和 FP-GA 等各種大規(guī)模集成電路（LSI）領(lǐng)域有較大應(yīng)用潛力。作為伴生礦產(chǎn)，鎵在地殼中的含量為 5×10 -4%~1.5×10 -3 %，為典型的稀散元素 。據(jù)統(tǒng)計(jì)，當(dāng)前全球鎵的總儲(chǔ)量為 23 萬噸，中國(guó)以占比 8 成以上成為全球金屬鎵的最大生產(chǎn)國(guó)，主要供應(yīng)美國(guó)、歐盟、日本和韓國(guó)等經(jīng)濟(jì)體 。