碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料代表，利用其大禁帶寬度特點(diǎn)制成的功率器件能夠更好地適應(yīng)高壓、高溫工作環(huán)境，有效降低系統(tǒng)的電氣尺寸和運(yùn)行成本，在新能源汽車及充電、光伏、電網(wǎng)等領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。碳化硅襯底在器件成本結(jié)構(gòu)中占比接近一半，其供給和價(jià)格是決定碳化硅基功率器件持續(xù)滲透和產(chǎn)業(yè)擴(kuò)容的關(guān)鍵。
   相較硅基襯底，碳化硅襯底的制備不僅耗時(shí)，在生長(zhǎng)時(shí)還需要密切控制晶體內(nèi)雜質(zhì)濃度及溫度，防止因缺陷過度導(dǎo)致產(chǎn)品失敗。同時(shí)，碳化硅硬度僅次于金剛石，且自身屬于高脆性材料，在后續(xù)加工中切割磨損度較高，使得最終產(chǎn)出比較低；目前碳化硅襯底切割的主要方式有砂漿切割、金剛石線切割以及最新的能夠降低損耗、提高加工效率的激光切割。
   2023年全球主要功率廠商均加快了碳化硅布局如產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃、長(zhǎng)期合作協(xié)議，中國企業(yè)也正在逐步登上國際舞臺(tái)：三安光電與意法半導(dǎo)體成立碳化硅器件制造合資公司，由此前者將單獨(dú)建設(shè)和運(yùn)營(yíng)一座新的200毫米碳化硅襯底工廠，以滿足合資企業(yè)的需求。
   未來產(chǎn)能擴(kuò)張和降本是未來碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主線，隨著產(chǎn)能擴(kuò)張及大尺寸襯底技術(shù)的成熟，能夠有效拉低襯底成本，使得碳化硅器件的應(yīng)用逐步深化、擴(kuò)大，并在新需求的產(chǎn)生中實(shí)現(xiàn)良性循環(huán)。預(yù)計(jì)2028年全球碳化硅襯底規(guī)模（以6英寸記）有望突破年需求有望突破300萬片。