碳化硅（SiC）涂層石墨基座是一種復(fù)合結(jié)構(gòu)材料，由石墨基座（石墨材料作為基礎(chǔ)承載體）、碳化硅（SiC）表面涂層組成。SiC涂層石墨基座具有耐高溫、耐腐蝕、抗溶蝕、抗氧化等優(yōu)異性能，特別適用于高溫、磨損性、腐蝕性等極端環(huán)境中，在半導(dǎo)體、光電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
　　SiC涂層石墨基座是金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備的核心關(guān)鍵部件及耗材，具有支撐載體、材料界面特性控制、加熱單晶襯底、抗氧化保護(hù)、降低雜質(zhì)污染等作用，影響著外延材料的生長質(zhì)量。
　　MOCVD設(shè)備具有生長速率可控、操作簡單等優(yōu)勢，是氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體單晶襯底外延生長的關(guān)鍵設(shè)備。我國MOCVD設(shè)備供應(yīng)商有中微公司、中晟光電、廣東昭信等，近年來，隨著藍(lán)光LED產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，MOCVD設(shè)備市場需求旺盛，SiC涂層石墨基座作為其核心部件之一，市場需求空間隨之?dāng)U大。
　　碳化硅（SiC）具有化學(xué)穩(wěn)定性高、耐腐蝕、高熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)與石墨相近等特點，是石墨基座表面涂層的首選材料。SiC根據(jù)結(jié)構(gòu)不同又稱為α-SiC、β-SiC兩大類，其中β-SiC耐腐蝕性更優(yōu)異，在石墨基座表面涂層中應(yīng)用價值更高。
　　SiC涂層石墨基座的涂層制備方法多樣，包括等離子噴涂法、漿料涂覆燒結(jié)法、電泳沉積法、涂刷法、化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等。其中CVD法技術(shù)成熟，更容易實現(xiàn)商業(yè)化，是制備SiC涂層的理想選擇。
　　SiC涂層石墨基座行業(yè)進(jìn)入壁壘極高，具體體現(xiàn)在制造技術(shù)壟斷、開發(fā)驗證環(huán)節(jié)長、進(jìn)入供應(yīng)鏈難度大等方面。在國際上市場上，SiC涂層石墨基座主要供應(yīng)商有荷蘭Xycarb、德國Sgl Carbon（SGL）、美國MEMC、日本東洋碳素等。
　　2017年之前，我國SiC涂層石墨基座市場需求主要依賴進(jìn)口，為避免半導(dǎo)體行業(yè)卡脖子風(fēng)險，近年來，我國SiC涂層石墨基座國產(chǎn)替代趨勢顯現(xiàn)。我國SiC涂層石墨基座供應(yīng)商有湖南德智新材料有限公司（德智新材）、深圳市志橙半導(dǎo)體材料有限公司、浙江六方半導(dǎo)體科技有限公司等。
　　SiC涂層石墨基座是MOCVD設(shè)備的核心部件和重要耗材，其國產(chǎn)化發(fā)展，對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。目前我國已實現(xiàn)SiC涂層石墨基座技術(shù)突破，生產(chǎn)規(guī)模也不斷擴(kuò)大，但在制造工藝水平、產(chǎn)品品質(zhì)等方面與國際領(lǐng)先水平相比仍存在一定差距，未來國產(chǎn)SiC涂層石墨基座仍有較大提升空間。